MOS 非理想 效應、Moscap、mos能帶圖在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說
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本文將討論VLSI（超大規模集成電路）電路以及影響MOS電晶體的非理想因素的 ... 有效溝道長度和速度飽和效應，這可能會導致一些非理想性，如前文所述。
MOS 非理想 效應在非理想特性(Second Order Effect)的討論與評價
有關電流增益β. A. 溫度效應. 溫度上升，β會增大。 原因：當溫度上生時，在基. 極的少數載體生命期τB. 變長，. 即較不易被復合，故到達集. 極的機率增大，αt. 增大，也.
MOS 非理想 效應在第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)的討論與評價
如何分析與設計包含MOS 電晶體、電阻以及直流 ... 指出元件極性(即n 通道)；(c) 簡化的電路符號用在源極與本體短路或本體效應對元件操作無關緊要的 ... 電流源為理想.
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MOS 非理想 效應在金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科的討論與評價
如前所述，金氧半場效電晶體的核心是位於中央的MOS電容，而左右兩側則是它的源極與汲極。源極與汲極的特性必須同為n-type（即NMOS）或是同為p-type（即PMOS）。左 ...
MOS 非理想 效應在非理想型MOS和MOSFET结构与操作 - 示说的討論與評價
MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属— ...
MOS 非理想 效應在SAR ADC的非理想效应原创 - CSDN博客的討論與評價
在SAR ADC中，各个电路模块的非理想因素都有可能对模数转换器的精度或者速度产生影响，下面将系统地描述SAR ADC设计中存在的非理想因素。
MOS 非理想 效應在实际非理想MOS结构平带电压表达式是什么？ - 知乎用户的回答的討論與評價
实际非理想MOS结构平带电压表达式是什么？ 是这两个公式的哪一个啊？
MOS 非理想 效應在Chapter 5 The Field-Effect Transistor - 正修科技大學的討論與評價
除同MOS電容之閘極、氧化層及p型基板區 ... 飽和區：理想MOSFET有固定之D極電流 ... 對單一元件此效應不明顯，但若是在積體電路內數千數百.
MOS 非理想 效應在1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧的討論與評價
1.3 短通道效應(Short Channel Effects). 隨著MOS 場效電晶體元件微縮，通道的長度也隨著縮短，電晶體的操作速. 度會加快。但電晶體的通道長度並無法無限制的縮短，因 ...
MOS 非理想 效應在第七章金属/氧化物/半导体(MOS)结构的討論與評價
7.2 MOS结构的CV特性. § 7.3 非理想（实际）MOS结构 ... 氧化层与半导体Si界面是理想的界面，即没有界面电荷 ... 此时，量子效应对载流子的浓度分布产生影响。