次臨界擺幅定義、次臨界區、vth定義在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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次臨界擺幅 (Sub-threshold Swing, SS). ... 當接面處的缺陷增加時，Cit 會上升，於是造成次臨界擺幅(SS)增加。 ... 膜製程定義出金氧半場效電晶體(MOSFET)元件。

Field Effect Transistor, MOSFET)的次臨界擺幅無法低於60 mV/decade，使操 ... 定義在能夠使金氧半場效電晶體通道電流導通的電壓下限，必須要求電流在.

3.1-1 次臨界擺幅(Subthreshold Swing，S.S.) . ... 臨界電壓可說是呈現元件特性優劣的重要參數，其定義為元件於臨界反轉. 時的閘極電壓，也代表電晶體打開的電壓。

當在室溫下，理想的元件其次臨界擺幅約(SS)為60mVdecade，也就是閘極電壓(VG) 變化60 mV時，源汲極電流(VDS)會有一個十倍的變化。定義次臨界擺幅(subthreshold swing) ...

理想的MOS 二極體定義（續） <ul><li>於任意偏壓下，二極體裡的電荷只有半導體電荷 ... 梯度有關，故電流關係式中有指數項： </li></ul>因定義次臨界擺幅(subthreshold ...

亞閾值擺幅（Subthreshold swing），又稱為S因子。這是MOSFET在亞閾狀態工作時、用作為邏輯開關時的一個重要參數，它定義為：.

次臨界電流，或稱次臨界漏電流（英語：subthreshold leakage），是金屬氧化物半導體場效電晶體閘極電壓低於電晶體線性導通所需的閾值電壓、處於截止區（或稱次臨界 ...

取In Ins-Vos圖,可以在次臨界區得到一線性關係,. 這條線的斜率的倒數即爲本區的一個重要參數-次臨界擺幅(Subthreshold Swing, SS),其定義爲:.

定義次臨界擺幅 (subthreshold swing)： S越大，表示ID隨VG的變化越小，on-off特性不明顯；S越小，表示ID隨VG的變化越大，on-off特性顯著。次臨限區（續）在此區電流主要 ...

將次臨界擺幅(Subthreshold Swing, S.S.)定義為汲極電流和閘極電壓的斜率... 擺幅以及電流開關比值(Ion/Ioff Ratio)的影響，模擬結果如圖2-20[15]所示，. ... <看更多> ...